[15a-PB1-1~20] 6.4 Thin films and New materials

[15a-PB1-17] Characterization of NiCO₃ thin film diode was fabricated by the graphene synthesis technology and dependence of carbon solid solution time

〇Kazunori Ichikawa¹, Riku Morioka¹, Takuya Esumi¹, Syouna Takahashi¹, Tamiko Ohshima² (1.National Institute of Technology, Matsue College, 2.National Institute of Technology, Sasebo College)

Keywords:Ni carbide semiconductor, schottky diode, NiCO3 thin film

Niを触媒に用いた場合のグラフェンの合成では炭素原子がNiに固溶し冷却時の析出により合成される。我々はグラフェンの合成技術を応用しNi表面を酸化することで炭素原子をNi中に閉じ込め、Ni炭化物半導体の合成を行った。XRDの評価からNiCO_３薄膜の配向膜が合成され、バンドギャップ、ショットキーダイオード特性の評価から物性評価を行った。