The 67th JSAP Spring Meeting 2020

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6 Thin Films and Surfaces » 6.4 Thin films and New materials

[15a-PB1-1~20] 6.4 Thin films and New materials

Sun. Mar 15, 2020 9:30 AM - 11:30 AM PB1 (PB)

9:30 AM - 11:30 AM

[15a-PB1-17] Characterization of NiCO3 thin film diode was fabricated by the graphene synthesis technology and dependence of carbon solid solution time

Kazunori Ichikawa1, Riku Morioka1, Takuya Esumi1, Syouna Takahashi1, Tamiko Ohshima2 (1.National Institute of Technology, Matsue College, 2.National Institute of Technology, Sasebo College)

Keywords:Ni carbide semiconductor, schottky diode, NiCO3 thin film

Niを触媒に用いた場合のグラフェンの合成では炭素原子がNiに固溶し冷却時の析出により合成される。我々はグラフェンの合成技術を応用しNi表面を酸化することで炭素原子をNi中に閉じ込め、Ni炭化物半導体の合成を行った。XRDの評価からNiCO薄膜の配向膜が合成され、バンドギャップ、ショットキーダイオード特性の評価から物性評価を行った。