9:30 AM - 11:30 AM
[15a-PB1-17] Characterization of NiCO3 thin film diode was fabricated by the graphene synthesis technology and dependence of carbon solid solution time
Keywords:Ni carbide semiconductor, schottky diode, NiCO3 thin film
Niを触媒に用いた場合のグラフェンの合成では炭素原子がNiに固溶し冷却時の析出により合成される。我々はグラフェンの合成技術を応用しNi表面を酸化することで炭素原子をNi中に閉じ込め、Ni炭化物半導体の合成を行った。XRDの評価からNiCO3薄膜の配向膜が合成され、バンドギャップ、ショットキーダイオード特性の評価から物性評価を行った。