[15a-PB1-1~20] 6.4 薄膜新材料

[15a-PB1-17] グラフェンの合成技術により作製したNiCO_３薄膜のダイオード特性評価と炭素固溶時間依存性

〇市川 和典¹、森岡 璃久¹、江角 卓哉¹、高橋 鐘瑛¹、大島 多美子² (1.松江高専、2.佐世保高専)

キーワード：炭化物半導体、ショットキーダイオード、NiCO3薄膜

Niを触媒に用いた場合のグラフェンの合成では炭素原子がNiに固溶し冷却時の析出により合成される。我々はグラフェンの合成技術を応用しNi表面を酸化することで炭素原子をNi中に閉じ込め、Ni炭化物半導体の合成を行った。XRDの評価からNiCO_３薄膜の配向膜が合成され、バンドギャップ、ショットキーダイオード特性の評価から物性評価を行った。