[15a-PB1-1~20] 6.4 Thin films and New materials

[15a-PB1-9] Investigation of Ni nitride semiconductor Schottky barrier diode and nitride time dependence

〇Riku Morioka¹, Kazunori Ichikawa¹, Hiroshi Akamatsu², Tamiko Ohshima³, Wenchang Yeh⁴ (1.NIT, Matsue College., 2.Kobe City College of Tech, 3.NIT, Sasebo College., 4.Shimane Univ.)

Keywords:nitride semiconductor, Wide bandgap semiconductor

これまで我々は低真空下においてNiを熱窒化することによりNi窒化物半導体の作製を行ってきた。作製したNi窒化物半導体は3.9eVのバンドギャップを持つワイドギャップ半導体であり、Cuをショットキー電極としたNi窒化物半導体のショットキーバリアダイオードを作製及び評価を行った結果、理想係数1.35、ショットキー障壁0.82 eV、On/Off比が5桁のダイオード特性が得られた。