[15a-PB1-1~20] 6.4 薄膜新材料

[15a-PB1-9] Ni窒化物半導体のショットキーバリアダイオード特性評価と窒化時間依存性

〇森岡 璃久¹、市川 和典¹、赤松 浩²、大島 多美子³、葉 文昌⁴ (1.松江高専、2.神戸高専、3.佐世保高専、4.島根大学)

キーワード：窒化物半導体、ワイドギャップ半導体

これまで我々は低真空下においてNiを熱窒化することによりNi窒化物半導体の作製を行ってきた。作製したNi窒化物半導体は3.9eVのバンドギャップを持つワイドギャップ半導体であり、Cuをショットキー電極としたNi窒化物半導体のショットキーバリアダイオードを作製及び評価を行った結果、理想係数1.35、ショットキー障壁0.82 eV、On/Off比が5桁のダイオード特性が得られた。