The 67th JSAP Spring Meeting 2020

Presentation information

Poster presentation

8 Plasma Electronics » 8 Plasma Electronics(Poster)

[15a-PB2-1~22] 8 Plasma Electronics

Sun. Mar 15, 2020 9:30 AM - 11:30 AM PB2 (PB)

9:30 AM - 11:30 AM

[15a-PB2-7] Effect of Ion Shielding on Sulfur Lattice Defect Formation in MoS2 Thin Film by Microwave Hydrogen Plasma

Masachika Tsuzuki1, Akihisa Ogino1 (1.Shizuoka Univ.)

Keywords:molybdenum disulfide, hydrogen evolution reaction, plasma modification

二硫化モリブデンは安価で水素発生反応に優れることから新しい水素生成触媒として期待されており、実用化するにはより高い活性が必要となる。そのため活性な硫黄欠陥を形成する研究がなされているが、その際構造が破壊されることは触媒として望ましくない。今研究では水素プラズマを用いることで構造を破壊せずに、不活性な基底面に活性な硫黄欠陥を形成した。また荷電粒子を遮蔽することで、結晶対称性の劣化をより抑制できた。