[15a-PB2-1~22] 8 プラズマエレクトロニクス

[15a-PB2-7] マイクロ波励起プラズマを用いた MoS₂薄膜の硫黄欠陥形成におけるイオン遮蔽の影響

〇都築 聖親¹、荻野 明久¹ (1.静大院工)

キーワード：二硫化モリブデン、水素発生反応、プラズマ改質

二硫化モリブデンは安価で水素発生反応に優れることから新しい水素生成触媒として期待されており、実用化するにはより高い活性が必要となる。そのため活性な硫黄欠陥を形成する研究がなされているが、その際構造が破壊されることは触媒として望ましくない。今研究では水素プラズマを用いることで構造を破壊せずに、不活性な基底面に活性な硫黄欠陥を形成した。また荷電粒子を遮蔽することで、結晶対称性の劣化をより抑制できた。