[15a-PB4-1~13] 16.3 シリコン系太陽電池

[15a-PB4-11] Siヘテロ接合太陽電池モジュールの光照射下での電圧誘起劣化

〇徐 佳明¹、増田 淳²、大平 圭介¹ (1.先端大、2.産総研)

キーワード：シリコンヘテロ接合、電圧誘起劣化

Siヘテロ太陽電池モジュールのPIDに関し, 光照射の影響を調査した. 暗状態, 1 sun光照射下とも, FF, V_ocに変化がなく, J_scのみが低下する挙動を示し, 先行研究の傾向を再現した. 暗状態と比較し, 1 sun光照射下では, 同じPID試験時間で比較するとJ_scの低下が小さい. また, いずれの場合もJ_scの低下は飽和するが, その飽和値も1 sun光照射下の方が高い.これらの結果は, SHJモジュールのPIDが, 光照射下で遅延することを示唆する.