The 67th JSAP Spring Meeting 2020

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16 Amorphous and Microcrystalline Materials » 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[15a-PB4-1~13] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

Sun. Mar 15, 2020 9:30 AM - 11:30 AM PB4 (PB)

9:30 AM - 11:30 AM

[15a-PB4-12] Recovery phenomena of potential-induced degradation in c-Si photovoltaic modules with impulse voltage application

Tetsuya Kaneko1, Ryouta Tanabe1, Kentaro Takano1, Suy Kimsong1, Yukiko Hara2, Atsushi Masuda2, Masao Isomura1 (1.Tokai Univ., 2.AIST)

Keywords:Potential-induced degradation, Photovoltaic modules, c-Si solar cells

太陽光発電システムへの落雷によって、モジュールの各部に瞬間的な高電圧が印加されることが考えられる。これまでに、結晶シリコン太陽電池モジュールへのインパルス電圧印加が電圧誘起劣化(PID)を促進する事を報告してきが、要因の解明に向けPIDの回復挙動について評価した。結果、インパルス電圧の印加では回復挙動に変化は無いとみられる事から、インパルス電圧印加でのPIDの促進は、セル以外の部位に主要因があると考えられる。