[15a-PB4-1~13] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[15a-PB4-6] Formation of p-a-Si by Cat-counter-doping

〇Taiyo Tsurugai¹, Thi Cam Tu Huynh¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST)

Keywords:Si heterojunction solar cell, Cat-CVD

膜厚10 nm以下のCatドープa-Siの導電率測定のためにドープa-Siをi-a-Siで挟み込む構造での導電率測定を行った。i/n/i構造では、膜厚10 nmの試料においても10⁻⁴ S/cm台の導電率を確認した。同構造でのB Catドーピング時間依存性では、n-a-Si単膜構造と比較し高い導電率でp型への変化を確認した。膜厚が10 nm以下でも、フェルミレベルピニングによる低導電率化を抑制し、Catドープ層の正確な導電率を測定することができた。