[15a-PB4-1~13] 16.3 シリコン系太陽電池

[15a-PB4-6] Catカウンタードーピングによるp-a-Siの形成

〇鶴飼 太陽¹、Huynh Thi Cam Tu¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：Siヘテロ接合太陽電池、Cat-CVD

膜厚10 nm以下のCatドープa-Siの導電率測定のためにドープa-Siをi-a-Siで挟み込む構造での導電率測定を行った。i/n/i構造では、膜厚10 nmの試料においても10⁻⁴ S/cm台の導電率を確認した。同構造でのB Catドーピング時間依存性では、n-a-Si単膜構造と比較し高い導電率でp型への変化を確認した。膜厚が10 nm以下でも、フェルミレベルピニングによる低導電率化を抑制し、Catドープ層の正確な導電率を測定することができた。