[15a-PB4-1~13] 16.3 シリコン系太陽電池

[15a-PB4-8] Cat-CVD i-a-Si/i-a-Si積層膜での結晶Si表面のパッシベーション

〇(M1)寺門 裕樹¹、Huynh Thi Cam Tu¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：Siヘテロ接合太陽電池、Cat-CVD、パッシベーション

Cat-CVDでのi-a-Siパッシベーション膜形成に関し、エピタキシャル成長抑制を目的に、低温で薄い i-a-Si膜を堆積した後、高温で高品質なi-a-Siを堆積する手法を検討した。1層目の基板温度は130–160 ^oC、2層目は285 ^oCでτ_effが最大値を示す傾向があることが分かった。また、積層構造がパッシベーション性能向上に有効であることを確認した。