[15p-A201-1~15] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15p-A201-14] 少量のCO共存下で進行するO₂及びH₂Oによる熱酸化に伴う酸化膜中欠陥形成機構の考察

〇(B)劉 洪波¹、喜多 浩之¹ (1.東大院工)

キーワード：シリコンカーバイド、熱酸化、MOSキャパシタ

熱酸化時の少量のCO導入が、Si MOS特性に与える影響をp型のSi(100)基板で調査した。三種類の雰囲気での熱酸化、また、各雰囲気のうち少量のCOを導入した界面酸化を行った試料を作製した。ヒステリシスの増加、反転側の応答、フラットバンド電圧のシフトから、界面及び近傍でのトラップ準位の増加と固定電荷の増加が示唆される。よってSiCの熱酸化時に放出されるCOが熱酸化膜及び界面に対する効果を制御する必要性が判明される。