[15p-A201-1~15] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [15p-A201-5] Comparison between the stability of N-introduced 4H-SiC/SiO₂ interfaces formed on Si-face, C-face and a-face

〇Yusuke Samata¹, Koji Kita¹ (1.The Univ. of Tokyo)

Keywords:nitridation, XPS

本研究では、Si面・C面・a面上に形成された4H-SiC/SiO₂窒化界面からの、高温ArアニールによるN原子の熱的な脱離現象に着目し、4H-SiC/SiO₂窒化界面構造の安定性について議論する。各面方位におけるN原子の脱離速度の違いから、界面構造の安定性がSi面＜C面≒a面であることが示唆された。また、Arアニールの温度を変えて実験を行うことで、界面構造の分解のための活性化エネルギーについて考察した。