[15p-A201-1~15] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [15p-A201-5] Si 面・C 面・a 面上に形成された 4H-SiC/SiO₂窒化界面構造の安定性の比較

〇佐俣 勇祐¹、喜多 浩之¹ (1.東大院工)

キーワード：窒化、XPS

本研究では、Si面・C面・a面上に形成された4H-SiC/SiO₂窒化界面からの、高温ArアニールによるN原子の熱的な脱離現象に着目し、4H-SiC/SiO₂窒化界面構造の安定性について議論する。各面方位におけるN原子の脱離速度の違いから、界面構造の安定性がSi面＜C面≒a面であることが示唆された。また、Arアニールの温度を変えて実験を行うことで、界面構造の分解のための活性化エネルギーについて考察した。