[15p-A302-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[15p-A302-4] PVT成長AlN上にHVPE成長させたSi添加AlN基板の陰極線蛍光評価

〇秩父 重英¹、嶋 紘平¹、小島 一信¹、Moody Baxter²、三田 清二²、Collazo Ramon³、Sitar Zlatko^2,3、熊谷 義直⁴、上殿 明良⁵ (1.東北大多元研、2.Adroit Materials、3.NC State Univ.、4.東京農工大院工、5.筑波大数物)

キーワード：窒化物半導体、カソードルミネッセンス、AlN

物理気相輸送(PVT)成長c面AlN上にハライド気相エピタキシー（HVPE）法により厚膜AlNを成長させPVT部を除去した、低転位密度と低炭素濃度を両立するAlNウエハの陰極線蛍光(CL)及び陽電子消滅測定結果を報告する。Al空孔とN空孔の複合体だけでなく、Al空孔と不純物の複合体に関する考察を行う。