[15p-A302-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

[15p-A302-6] Design of AlN Doubly-Resonant Waveguide Microcavity SHG Device

〇(B)Soshi Umeda¹, Takumi Nagata¹, Toshiki Hikosaka², Sinya Nunoue², Masahiro Uemukai¹, Tomoyuki Tanikawa¹, Ryuji Katayama¹ (1.Osaka Univ., 2.Toshiba Corp.)

Keywords:Nonlinear Optics, Wavelength conversion, Deep ultraviolet

近年、小型の深紫外光発生デバイスが求められており、吸収端波長が深紫外の波長よりも短いAlNを用いた深紫外第二高調波発生（SHG)デバイスが期待されている。本研究室では、全長約10 mmのバルクGaN微小共振器型デバイスを提案・作製し、青色SHG実証に成功した.。導波路構造を採用することにより低い励起光パワーで高効率化が期待できる。本研究では、回折による損失を考慮してAlN導波路型微小二重共振器SHGデバイスの設計を行った。