[15p-A302-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

[15p-A302-6] AlN導波路型微小二重共振器第二高調波発生デバイスの設計

〇(B)梅田 颯志¹、永田 拓実¹、彦坂 年輝²、布上 真也²、上向井 正裕¹、谷川 智之¹、片山 竜二¹ (1.阪大院工、2.(株)東芝)

キーワード：非線形光学、波長変換、深紫外

近年、小型の深紫外光発生デバイスが求められており、吸収端波長が深紫外の波長よりも短いAlNを用いた深紫外第二高調波発生（SHG)デバイスが期待されている。本研究室では、全長約10 mmのバルクGaN微小共振器型デバイスを提案・作製し、青色SHG実証に成功した.。導波路構造を採用することにより低い励起光パワーで高効率化が期待できる。本研究では、回折による損失を考慮してAlN導波路型微小二重共振器SHGデバイスの設計を行った。