[15p-B410-1~11] 3.13 Semiconductor optical devices

[15p-B410-10] Characterization of 3D controlled resistance and absorption for high-efficiency VCSEL
by proton implantation

〇(M2)Hayato Sakamoto¹, Tomoyuki Miyamoto¹ (1.FIRST,Tokyo Tech)

Keywords:VCSEL, proton implantation, optical wireless power transmission

光無線給電の給電効率改善には，光源の高効率化が必要である．光源にはVCSELが有望だが，構造・プロセスの最適化が進み効率改善は容易でない．VCSELの効率抑制要因はキャリア濃度に依存する電気抵抗と光吸収だがトレード・オフ関係にある．そこでプロトン注入のキャリア不活化を，電気抵抗・光吸収それぞれの有意領域に合わせて3次元的に制御して高効率化を目指す．今回，プロトン注入型VCSELを実際に製作し特性評価を行ったので報告する．