2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[15p-B410-1~11] 3.13 半導体光デバイス

2020年3月15日(日) 13:15 〜 16:45 B410 (2-410)

宮本 智之(東工大)、赤羽 浩一(NICT)

16:15 〜 16:30

[15p-B410-10] プロトン注入による3次元的抵抗・吸収制御型高効率VCSELの評価

〇(M2)坂元 駿斗1、宮本 智之1 (1.東工大未来研)

キーワード:VCSEL、プロトン注入、光無線給電

光無線給電の給電効率改善には,光源の高効率化が必要である.光源にはVCSELが有望だが,構造・プロセスの最適化が進み効率改善は容易でない.VCSELの効率抑制要因はキャリア濃度に依存する電気抵抗と光吸収だがトレード・オフ関係にある.そこでプロトン注入のキャリア不活化を,電気抵抗・光吸収それぞれの有意領域に合わせて3次元的に制御して高効率化を目指す.今回,プロトン注入型VCSELを実際に製作し特性評価を行ったので報告する.