[15p-B410-1~11] 3.13 Semiconductor optical devices

[15p-B410-3] Mode-locked laser diodes by using highly stacked InAs quantum dots

〇Kouichi Akahane, Atsushi Matsumoto¹, Toshimasa Umezawa¹, Naokatsu Yamamoto¹ (1.NICT)

Keywords:Quantum dot, Strain-compensation, Mode-locked laser diodes

本講演では歪補償法により多重積層化したInAs量子ドットを用いたモードロックレーザの作製とその特性について報告する。作製したモードロックレーザでは約1psのパルスが繰り返し周波数80GHzで生成されることを確認した。