[15p-B410-1~11] 3.13 半導体光デバイス

[15p-B410-5] 1.06μm帯InAs及びInGaAs量子ドットレーザ

〇權 晋寛¹、角田 雅弘¹、渡邉 克之¹、荒川 泰彦¹ (1.東大)

キーワード：量子ドット、分子線エピタキシー、量子ドットレーザ

1.06 μm 帯は現用のレーザ加工用で幅広く使われている波長で、半導体レーザの適用が期待されている。その中でも、量子ドットレーザは高い効率や優れた温度特性で次世代加工用レーザとして注目を浴びている。今回、我々は、1.06 μm 帯 InGaAs/GaAs, InAs/GaAs 量子ドットレーザを作製し、それらの特性について比較評価を行ったため報告する。