[15p-D311-1~8] 6.3 Oxide electronics

[15p-D311-2] The effects of the ablation laser on the epitaxial growth process and the electronic structure of electric-ferroelectric YbFe₂O₄ PLD thin films

〇Kento Shimamoto¹, Junpei Tanaka¹, Kohei Miura¹, Daisuke Kiriya¹, Takeshi Yoshimura¹, Atushi Ashida¹, Norifumi Fujimura¹ (1.Osaka Prefecture Univ.)

Keywords:RFe2O4, PLD, Electronic Ferroelectric material

RFe₂O₄(R:希土類)は、結晶内で三角格子を構成する同数のFe²⁺とFe³⁺が引き起こす電荷のフラストレーションによって、電子密度に極性が生じる電子強誘電体である。我々はパルスレーザー堆積 (PLD) 法において、高い結晶性を有するYbFe₂O₄エピタキシャル薄膜の生成に成功し、使用するレーザーのパワー(密度) がYbFe₂O₄の相形成に及ぼす影響を報告してきた。本発表では特に、YbFe₂O₄エピタキシャル薄膜においてアブレーションレーザーの波長の違いが形成する薄膜の相形成や電子状態に与える影響について報告する