[15p-D311-1~8] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[15p-D311-5] RF スパッタリング法による BiVO₄薄膜成長法の検討

〇(M1)田島 和哉¹、IslamMuhammad Monirul¹、Jiaqi Liu¹、Imane Abdellaoui¹、池田 茂²、櫻井 岳暁¹ (1.筑波大数理物質、2.甲南大学理工)

キーワード：光触媒

2 段階光励起（Z-スキーム）型水分解光電極系において酸素発生電極に用いられる BiVO₄は、可視光応答するバンドギャップ（2.4eV）を有し、酸素の発生効率が高いだけでなく、水溶液中での安定性も高いなど理想的な性質を持つ。本研究では報告例のない BiVO4シングルターゲットを用いた monoclinic sheelite (M-s)相の BiVO₄薄膜の成長を試みた。