[15p-D411-1~5] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[15p-D411-1] 高濃度リンドープCZ-Si結晶中のSiP析出物形成挙動

〇仙田 剛士¹、成松 真吾¹、安部 吉亮¹、前田 進¹、松村 尚¹、石川 高志¹、中村 浩三² (1.グローバルウェーハズ・ジャパン、2.岡山県立大学)

キーワード：半導体、シリコン、リン

極低抵抗率リン (P) ドープシリコン (Si) 結晶のSiP特性に対する結晶成長条件を、系統的に調査した。TEM観察の結果、SiPが1×10¹¹ /cm³から1×10¹³ /cm³の密度で観察された。また、結晶成長時の冷却カーブから、その平均サイズは、冷却時の通過時間との相関が見られた。本SiPは、冷却過程において格子間Pが凝集することにより発生したと推定する。