[15p-D411-1~5] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[15p-D411-4] シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学（16）as-grown結晶中の窒素

〇井上 直久^1,2、川又 修一²、奥田 修一² (1.東京農工大学工学院、2.大阪府大研究推進)

キーワード：シリコン結晶、窒素点欠陥複合体、赤外吸収

窒素ドープFZシリコン結晶で電子線照射後および後熱処理後に見出した551、688cm^-1吸収をas-grown結晶で調べた。551cm^-1吸収は全てのCZ,FZ結晶でNN吸収の1/3の大きさで観測された。これは格子間窒素N_i起源である。689cm^-1吸収がFZ結晶で688cm^-1吸収（VVNN起源）の近傍に見出された。強度は551cm^-1吸収の約1/5で、空孔-置換型窒素対VN_s起源と同定した。