14:15 〜 14:30 △ [12p-N406-6] ラングミュアの吸着等温式に基づく低温成長GaAs1-xBixの成長条件 〇(M2)梅西 達哉1、高垣 佑斗2、富永 依里子1,2、行宗 詳規3、石川 史太郎3 (1.広大院先進、2.広大院先端、3.愛媛大院理工)