11:00 〜 12:40 [23a-P10-1] ドライエッチにより形成された4H-SiC 三次元構造のラフネス低減加工 〇佐藤 旦1、竹内 陸1、志摩 拓真1、ヴォーン ヴァン クォン1、黒木 伸一郎1 (1.広島大ナノデバイス)