10:30 〜 10:45 [13a-S203-6] MOCVD堆積CuO薄膜のポストアニール処理による電気抵抗低減 〇成島 光宣1、伊勢 真矢1、川合 晃平1、石川 博康1,2 (1.芝浦工大、2.グリーンエレクトロニクス国際研究センター)