17:00 〜 17:15 △ [12p-S301-12] 高濃度ボロンドープ層導入による縦型2DHGダイヤモンドMOSFETの電流密度向上化 〇太田 康介1、新倉 直弥1、行木 佑太1、張 潤銘1、角田 隼1、平岩 篤1、川原田 洋1,2 (1.早大理工、2.早大材研)