13:00 〜 14:40 [23p-P07-3] RF-MBE法によるGaN/ScAlMgO4成長形態の基板ステップ間隔依存性 〇黒田 悠弥1、和田 邑一1、栢本 聖也1、後藤 直樹1、藤井 高志1,2、毛利 真一郎1、白石 裕児2、福田 承生2、荒木 努1 (1.立命館大理工、2.(株) 福田結晶研)