14:15 〜 14:30 △ [12p-S203-6] ZrOx/電極界面への SiOx 層挿入による ReRAM 特性の改善 〇(M2)當山 啓斗1、秋山 竜介1、結城 賢采1、相川 慎也1 (1.工学院大工)