11:00 〜 12:40 [23a-P11-18] 単一障壁p型トンネルダイオードを用いたSi/CaF₂界面における価電子帯障壁高さ(ΔEv)の評価 〇菅原 大暉1、劉 龍1、鄭 源宰1、小柳 陽平1、北村 研太1、渡辺 正裕1 (1.東工大工)