一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
09:00 〜 09:15
〇村主 圭佑1、和達 大樹2、新船 幸二1、吉田 晴彦1、堀田 育志1 (1.兵県大工、2.兵県大理)
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09:15 〜 09:30
〇(M2)藤井 駿人1、上田 浩平1,2、松野 丈夫1,2 (1.阪大理、2.阪大CSRN)
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09:30 〜 09:45
〇清水 宙一1、齋藤 大地1、神永 健一2,3、岡 大地1、福村 知昭1,3,4,5 (1.東北大理、2.東北大院工、3.東北大AIMR & Core Research Cluster、4.東北大CSIS、5.東北大CSRN)
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09:45 〜 10:00
〇(M2)堀 惣介1、上田 浩平1,2、木田 孝則3、萩原 政幸3、松野 丈夫1,2 (1.阪大理、2.阪大CSRN、3.阪大先端強磁場)
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10:00 〜 10:15
〇(M2)杉野 雅史1、上田 浩平1,2、木田 孝則3、萩原 政幸3、松野 丈夫1,2 (1.阪大理、2.阪大CSRN、3.阪大先端強磁場)
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10:30 〜 10:45
〇(M2)Siyi Tang1、Md. Shamim Sarker1、Kaijie Ma1、Hiroyasu Yamahara1、Munetoshi Seki1、Hitoshi Tabata1 (1.the Univ. of Tokyo)
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10:45 〜 11:00
〇(M2)張 樹桐1、ラムチャンドラ サフー1、相馬 拓人1、北村 未歩2、堀場 弘司2,3、組頭 広志2,3,4、坂田 修身3,5、大友 明1,3 (1.東工大物質理工、2.高エネ研、3.元素戦略、4.東北大多元研、5.物材機構)
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11:00 〜 11:15
〇難波 杜人1、Li Haobo1、高津 浩1、陰山 洋1 (1.京大工)
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11:15 〜 11:30
〇(M1)佐藤 礼1、相馬 拓人1、大友 明1,2 (1.東工大物質理工、2.元素戦略)
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