〇Sabin Park¹、Rai Moriya¹、Yuta Seo¹、Yijin Zhang¹、Satoru Masubuchi¹、Kenji Watanabe²、Takashi Taniguchi^2,1、Tomoki Machida^1,3 (1.IIS Univ. Tokyo、2.NIMS、3.CREST-JST)

15:15 〜 15:30

[10p-N306-8] 欠陥の導入によるグラフェンの非対角熱電効果

〇(M2)大石竜¹、竹井邦晴¹、秋田成司¹、有江隆之¹ (1.大阪府大)

15:30 〜 15:45

[10p-N306-9] リチウムイオン二次電池用途導電性添加材としての機械的剥離グラフェンの応用

〇下位法弘¹、梅屋愼次郎²、渡邊康徳²、平川章² (1.東北工大工、2.㈱亀山鉄工所)

15:45 〜 16:00

[10p-N306-10] 層交換条件が多層グラフェンの負極特性に与える影響

〇鈴木大成¹、末益崇¹、都甲薫¹ (1.筑波大院)

16:15 〜 16:30

[10p-N306-11] 結晶化Ni触媒を用いた多層グラフェンの直接析出成長
――― 高い配向性を持つグラフェンの生成 ―――

〇成塚重弥¹、中島諒人¹、村橋知明¹、樫尾達也¹、丸山隆浩¹ (1.名城大理工)

16:30 〜 16:45

[10p-N306-12] 結晶化Ni触媒を用いたグラフェンの直接析出成長
―――グラフェン成長島のなめらかな合体―――

〇村橋知明¹、三田和輝¹、成塚重弥¹、丸山隆浩¹ (1.名城大理工)

16:45 〜 17:00

[10p-N306-13] ニッケル基材へCVDグラフェン成膜時の厚さ依存性

〇(M1)平栃健太^1,2、菅洋志^1,2、清水哲夫²、久保利隆² (1.千葉工大、2.産総研)

17:00 〜 17:15

[10p-N306-14] SiO₂/Si基板とNi触媒間でのグラフェン成長に関する研究

〇真野太朗¹、川内弘志¹、大田敦史¹、高橋尚斗¹、Subagyo Agus¹、末岡和久¹ (1.北大院情報科学)

17:15 〜 17:30

[10p-N306-15] CVDにおけるhBN/グラフェン積層ヘテロ構造成長の起源

〇影島博之¹、Wang Shengnan²、日比野浩樹³ (1.島根大院自然、2.NTT物性科学基礎研、3.関西学院大理工)

17:30 〜 17:45

[10p-N306-16] XPSによる金属薄膜成膜条件の金属-グラファイト界面特性の評価

〇川内弘志¹、Subagyo Agus¹、真野太朗¹、太田敦史¹、高橋尚斗¹、末岡和久¹ (1.北大院情報科学)

17:45 〜 18:00

[10p-N306-17] 繰り返し転写による多層グラフェンの作製

〇川田和則¹、川木俊輔¹、中村孝子¹、古賀義紀¹、長谷川雅考¹ (1.エアメンブレン)

18:00 〜 18:15

[10p-N306-18] 水素プラズマエッチングによるグラフェンジグザグ端の作製

〇松井朋裕¹、越智太亮¹、鎌田雅博¹、横澤峻元¹、向井孝三²、吉信淳² (1.アンリツARL、2.東大物性研)

セッション情報

[10p-N306-1~18] 17.2 グラフェン

[10p-N306-1] ミリメートルスケール魔法角ツイスト2層グラフェンにおけるフラットバンドの観測

[10p-N306-2] 非等価ドープツイスト2層グラフェンの電子状態と構造緩和

[10p-N306-3] Twisted二層グラフェン/h-BNモアレ超格子での非局所負抵抗の観測

[10p-N306-4] Twisted二層グラフェンvdWトンネル素子での電気伝導測定

[10p-N306-5] ツイスト積層二層グラフェンにおけるサイクロトロン共鳴吸収の観測

[10p-N306-6] ランダウ量子化二層グラフェンのサイクロトロン共鳴における多体効果

▲ [10p-N306-7] Detection of cyclotron resonance using bulk-contacted graphene device