一般セッション(口頭講演)

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[12p-N205-1~14] 12.4 有機EL・トランジスタ

2021年9月12日(日) 13:45 〜 17:45 N205 (口頭)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:45 〜 14:00

[12p-N205-1] [講演奨励賞受賞記念講演] フレキシブル相補型回路への応用に向けた有機トランジスタの光パターンによる閾値電圧制御

〇田口剛輝^1,2,3、植村隆文^1,3、難波直子^1,3、Petritz Andreas⁴、荒木徹平^1,2,3、杉山真弘^1,2,3、Barbara Stadlober⁴、関谷毅^1,2,3 (1.阪大産研、2.阪大院工、3.産総研PhotoBio-OIL、4.Joanneum Res.)

14:00 〜 14:15

[12p-N205-2] アンチ・アンバイポーラトランジスタの開発 IV
-フレキシブル多値論理回路への応用-

〇早川竜馬¹、Panigrahi Debdatta¹、若山裕¹ (1.物材機構)

14:15 〜 14:30

▲ [12p-N205-3] Development of anti-ambipolar transistors
Part V: Application to optically controllable ternary logic circuits

〇(P)Debdatta Panigrahi¹、Ryoma Hayakawa¹、Kota Fuchii^1,2、Yoichi Yamada²、Yutaka Wakayama¹ (1.NIMS、2.Tsukuba Univ.)

14:30 〜 14:45

△ [12p-N205-4] アンチ・アンバイポーラトランジスタの開発 Ⅵ
-多機能論理演算素子への応用-

〇(M2)本間航介^1,2、早川竜馬¹、中払周¹、金井要²、若山裕^1,2 (1.物材機構、2.東理大)

14:45 〜 15:00

△ [12p-N205-5] 単一の電流電圧特性を用いた電極接合パラメータの抽出：
ルブレン単結晶素子の電荷注入障壁スイッチング現象への適用

〇水上詢¹、野内亮^1,2 (1.大阪府立大院工、2.JSTさきがけ)

15:00 〜 15:15

▼ [12p-N205-6] Vertical organic field-effect transistors using reduced solution-processed graphene oxide films

〇(D)KUN QIAO¹、Mitsuharu Suzuki¹、Ken-ichi Nakayama¹ (1.Osaka Univ.)

15:30 〜 15:45

▲ [12p-N205-7] Quantitative analysis of organic anti-ambipolar field-effect transistors

〇(M1)Junyi Zhu¹、Takehiko Mori¹ (1.Tokyo Tech)

15:45 〜 16:00

[12p-N205-8] 磁性ナノ粒子を用いたトナー型印刷による高精細パターニング方法の確立

〇片口雅貴¹、唐澤幸一¹、澤村史也¹、富谷大樹¹、酒井正俊¹、工藤一浩¹ (1.千葉大院工)

16:00 〜 16:15

[12p-N205-9] パターニング溶融転写法を用いた鎖長の異なるアルキル基を有するナフタレンジイミド誘導体融液のメニスカス力の定量化

〇(M1)三浦佑介¹、金森アヌーシュ¹、平田直毅²、小熊尚実²、市川結¹ (1.信州大繊、2.大日精化)

16:15 〜 16:30

[12p-N205-10] 非対称型NTCDI誘導体の溶融転写による薄膜形成とトランジスタ特性

〇(M2)坂本龍幸¹、阿知葉駿介¹、市川結¹ (1.信州大繊維)

16:30 〜 16:45

[12p-N205-11] 有機デバイスの特性改善を目的としたアニール処理の検討

〇田口帆人¹、岩崎好孝¹、上野智雄¹ (1.農工大院工)

17:00 〜 17:15

[12p-N205-12] 単結晶有機トランジスタを用いた液中イオンセンサ

〇(M2)早川遥海¹、熊谷翔平²、山下侑^2,3、糟谷直孝²、牧田龍幸⁴、宇佐美由久^2,5、佐々木真理²、岡本敏宏^1,2,6、渡邉峻一郎^1,2、竹谷純一^1,2,3,4 (1.東大院工、2.東大院新領域、3.物材機構、4.パイクリスタル、5.ファームシップ、6.JST-CREST)

17:15 〜 17:30

[12p-N205-13] 顕微ラマン分光法を用いたTFT 素子中のCNT ネットワーク密度分布分析

〇野口健太¹、小坂志乃²、藤田康彦²、磯貝和生¹、清水浩二¹、堀井新司¹、村瀬清一郎¹ (1.東レ、2.東レリサーチセンター)

17:30 〜 17:45

[12p-N205-14] バスキーパー型物理的複製困難関数の熱安定性

〇栗原一徳¹、古志知也¹、植村聖¹、吉田学¹ (1.産総研)

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[12p-N205-1~14] 12.4 有機EL・トランジスタ

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-フレキシブル多値論理回路への応用-

▲ [12p-N205-3] Development of anti-ambipolar transistors
Part V: Application to optically controllable ternary logic circuits

△ [12p-N205-4] アンチ・アンバイポーラトランジスタの開発 Ⅵ
-多機能論理演算素子への応用-

△ [12p-N205-5] 単一の電流電圧特性を用いた電極接合パラメータの抽出：
ルブレン単結晶素子の電荷注入障壁スイッチング現象への適用

▼ [12p-N205-6] Vertical organic field-effect transistors using reduced solution-processed graphene oxide films

▲ [12p-N205-7] Quantitative analysis of organic anti-ambipolar field-effect transistors

[12p-N205-8] 磁性ナノ粒子を用いたトナー型印刷による高精細パターニング方法の確立

[12p-N205-9] パターニング溶融転写法を用いた鎖長の異なるアルキル基を有するナフタレンジイミド誘導体融液のメニスカス力の定量化

[12p-N205-10] 非対称型NTCDI誘導体の溶融転写による薄膜形成とトランジスタ特性

[12p-N205-11] 有機デバイスの特性改善を目的としたアニール処理の検討

[12p-N205-12] 単結晶有機トランジスタを用いた液中イオンセンサ

[12p-N205-13] 顕微ラマン分光法を用いたTFT 素子中のCNT ネットワーク密度分布分析

[12p-N205-14] バスキーパー型物理的複製困難関数の熱安定性

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[12p-N205-1~14] 12.4 有機EL・トランジスタ

▲ [12p-N205-3] Development of anti-ambipolar transistorsPart V: Application to optically controllable ternary logic circuits

△ [12p-N205-4] アンチ・アンバイポーラトランジスタの開発 Ⅵ-多機能論理演算素子への応用-

△ [12p-N205-5] 単一の電流電圧特性を用いた電極接合パラメータの抽出：ルブレン単結晶素子の電荷注入障壁スイッチング現象への適用

▼ [12p-N205-6] Vertical organic field-effect transistors using reduced solution-processed graphene oxide films

▲ [12p-N205-7] Quantitative analysis of organic anti-ambipolar field-effect transistors

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▲ [12p-N205-3] Development of anti-ambipolar transistors
Part V: Application to optically controllable ternary logic circuits

△ [12p-N205-4] アンチ・アンバイポーラトランジスタの開発 Ⅵ
-多機能論理演算素子への応用-

△ [12p-N205-5] 単一の電流電圧特性を用いた電極接合パラメータの抽出：
ルブレン単結晶素子の電荷注入障壁スイッチング現象への適用