[10a-N101-1~7] 15.4 III-V族窒化物結晶

[10a-N101-1] InN /AlN超格子のバンドギャップに対する格子歪みの影響

〇(M2)場崎 航平¹、是井 明人¹、河村 貴宏¹、秋山 亨¹、寒川 義裕² (1.三重大院工、2.九大応力研)

キーワード：超格子、ひずみ、バンドギャップ

窒化物半導体であるAlNとInNから構成されるAlInN混晶やInN/AlN超格子のバンドギャップは，その組成比や構造によって大きく変化する．それに加えて，格子歪みによってもバンドギャップが変化するため，歪みとバンドギャップの関係性についても詳細に検討する必要がある．そこで本研究では，第一原理計算を用いてInN/AlN超格子のバンド構造解析を行い，格子歪みが及ぼすバンドギャップへの影響について調べた．