[10a-N202-1~10] 15.5 Group IV crystals and alloys

[10a-N202-10] In-Situ Observation and Characterization of SiGe Alloyed Films
Formed by Pre-Alloyed Pastes on Si Substrate

〇Keisuke Fukuda¹, Satoru Miyamoto¹, Masahiro Nakahara^1,2, Shota Suzuki^2,3, Marwan Dhamrin^2,3, Kensaku Maeda⁴, Kozo Fujiwara⁴, Noritaka Usami¹ (1.Nagoya Univ., 2.Toyo Aluminum K.K., 3.Osaka Univ., 4.IMR, Tohoku Univ.)

Keywords:SiGe, Group IV alloy, Crystal Growth

多接合型太陽電池の大規模展開が可能な代替基板材料として期待されるSi基板を用いたSiGe混晶層について、AlとGe粒の混合ペースト及び合金化させたAl-Geペーストを用いて、印刷と焼成による作製・評価を行った。結晶成長のその場観察も含め、合金化試料では低温熱処理における高Ge濃度化と比較的平坦な界面が確認された。