[10a-N202-1~10] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[10a-N202-10] 合金ペーストにより形成されるSiGe混晶層のその場観察と構造評価

〇福田 啓介¹、宮本 聡¹、中原 正博^1,2、鈴木 紹太^2,3、ダムリン マルワン^2,3、前田 健作⁴、藤原 航三⁴、宇佐美 徳隆¹ (1.名大院工、2.東洋アルミ、3.阪大院工、4.東北大金研)

キーワード：SiGe、Ⅳ族混晶、結晶成長

多接合型太陽電池の大規模展開が可能な代替基板材料として期待されるSi基板を用いたSiGe混晶層について、AlとGe粒の混合ペースト及び合金化させたAl-Geペーストを用いて、印刷と焼成による作製・評価を行った。結晶成長のその場観察も含め、合金化試料では低温熱処理における高Ge濃度化と比較的平坦な界面が確認された。