[10a-N202-1~10] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[10a-N202-5] 非晶質Ge薄膜のSn誘起横方向成長温度の低温化

〇脇島 海晴¹、郡山 大知¹、清藤 健斗¹、笠 椋貴¹、高倉 健一郎¹、角田 功¹ (1.熊本高専)

キーワード：半導体、結晶性

我々はSnを用いた非晶質Ge薄膜の横方向成長について調査し，これまでに高エネルギー放射線を用いることで横方向成長距離が拡大することを報告してきた．今回は，Sn誘起横方向成長温度に着目し研究を行なった．
その結果，これまでSn誘起横方向成長は220℃で誘起されることが分かっていたが，二段階熱処理法を用いることによってSn誘起横方向成長開始温度の低温化を実現することができた．