[10a-N202-1~10] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[10a-N202-7] a-Siキャップ付加による界面変調Sn添加Ge極薄膜/絶縁基板のキャリア移動度向上

〇原 龍太郎¹、千代薗 修典¹、茂藤 健太^2,3、山本 圭介²、佐道 泰造¹ (1.九大・システム情報、2.九大・総理工、3.学振特別研究員)

キーワード：半導体

本研究ではSn添加Ge極薄膜の固相成長に与えるa-Siキャップ効果を検討した。