[10a-N203-1~10] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[10a-N203-1] Investigation of Constitutional Supercooling during Cz Silicon Growth by Numerical Modeling

〇(D)Yuji Mukaiyama^1,2, Vladimir Artemiev³, Vladimir Kalaev³, Koji Sueoka⁴ (1.Graduate School of Okayama Pref. Univ., 2.STR Japan K.K., 3.STR Group, Inc., 4.Okayama Pref. Univ.)

Keywords:Silicon, Constitutional supercooling, Cz method

Cz法Si単結晶成長時の高ドーピングにより，結晶内において転位や粒界が発生することが知られている．この様な欠陥が発生する要因は，組成的過冷却による形態的不安定性と考えられている．高品質な高ドープSi単結晶を成長させるためには，この組成的過冷却を制御する必要がある．本研究では，偏析を含むドーパントの融液内の輸送を考慮した3次元数値解析を行うことにより，固液界面近傍の組成的過冷却に関して調査した．