[10a-N203-1~10] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[10a-N203-10] Precise detection of carrier lifetime limited by surface-recombination processes
in GaAs (110) using time-resolved two-photon photoemission spectroscopy

〇Shuhei Ichikawa^1,2, Hidehiro Yasuda^1,2 (1.Research Center for UHVEM, Osaka Univ., 2.Osaka Univ.)

Keywords:surface recombination, GaAs, two-photon photoemission

半導体光デバイスやパワーデバイスにおいて、近年キャリア輸送特性に関する研究が盛んに行われている。現状のキャリア再結合寿命の評価手法として、時間分解フォトルミネセンス法やマイクロ波光導電減衰法等が用いられているが、これらの評価手法による検出信号は試料深さ方向の影響を強く受けるため、表面再結合の影響を切り分けたキャリア寿命の測定は容易ではない。本研究では、表面に敏感な紫外光電子分光測定において、フェムト秒パルスレーザーをポンプ・プローブ光に用いることで時間分解二光子光電子分光測定系を構築し、新たな手法でun-dope GaAs(110)表面に励起されたキャリアの、表面再結合に伴う非輻射再結合寿命を評価したので報告する。