[10a-N204-1~12] CS.10 6.5 表面物理・真空と7.6 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション

[10a-N204-11] SiO₂/4H-SiC界面における界面準位と界面構造の相関

〇山下 良之^1,2、Indari Efi Dwi^1,2、蓮沼 隆³ (1.NIMS、2.九大、3.筑波大)

キーワード：界面、SiC