[10a-N221-1~7] 15.1 バルク結晶成長

[10a-N221-6] CZ法作成ScAlMgO₄単結晶の欠陥：コアとストリエーション

〇白石 裕児¹、南都 十輝¹、安藤 宏孝¹、福田 承生¹、藤井 高志^1,2、石地 耕太郎³、稲葉 克彦⁴ (1.㈱福田結晶研、2.立命館大、3.九州シンクロトロン光研究センター、4.㈱リガク)

キーワード：ScAlMgO4、結晶育成、CZ法

ScAlMgO₄(SAM)単結晶を基板とした直径2インチのGaN自立基板が高歩留まりで作成できることが報告され、GaNパワーデバイスへの適応が期待されるようになった。SAM単結晶作成については直径3インチ、直径2インチ無転位化、結晶中の様々な結晶欠陥について報告してきた。今回X線トポグラフィ測定（XRT）によりコア、ストリエーションと成長条件について調べたので報告する。