[10a-N306-1~11] 17.2 グラフェン

△ [10a-N306-6] THz-TDSエリプソメトリを用いたグラフェンの電気的特性評価

〇(M2)鈴木 拓輝¹、藤井 高志^1,2、毛利 真一郎¹、岩本 敏志²、上田 悠貴³、成塚 重弥³、V.C. Agulto⁴、中嶋 誠⁴、荒木 努¹ (1.立命館大理工、2.PNP、3.名城大学理工、4.阪大レーザー研)

キーワード：グラフェン、テラヘルツ、時間領域分光法

我々はTHz周波数帯電磁波を用いて、バルク半導体(GaN, InN等)の電気的特性を分光解析で求める技術を確立している。そこで、この技術を応用し、2次元材料であるグラフェンへの適用を目指している。今回、産業応用が期待されているTHz-TDS エリプソメトリを用いて、グラフェンのシート抵抗、キャリア密度、散乱時間、移動度を非接触、非破壊で求めた結果について報告する。