[10a-N306-1~11] 17.2 Graphene

[10a-N306-8] Lattice strain induced pseudomagnetic fields in graphene dots on SiC

〇(M2)Zhongrui Jia¹, Anton Visikovskiy¹, Takushi Iimori², Fumio Komori², Satoru Tanaka¹ (1.ENG, Kyushu Univ., 2.ISSP, Tokyo Univ.)

Keywords:graphene, lattice strain, pesudomagnetic field

4H-SiC(0001)上に微量C₂H₄とO₂/Arを添加するCVD法でグラフェンを作製する時、三角形のグラフェンドットが形成され、ドットサイズが成長時間により変化する現象を見出した。本研究はグラフェンドットのサイズを成長時間により変化させ、歪みと擬磁場に与える影響を解明することを目的としている。