[10a-N403-1~12] 9.1 Dielectrics, ferroelectrics

[10a-N403-11] Understanding the improvement of piezoelectric properties for YbN-added AlN and GaN films

〇Junjun Jia¹, Takahiko Yanagitani² (1.GCSE, Waseda Univ., 2.ASE, Waseda Univ.)

Keywords:Electromechanical Coupling Coefficient, BAW Filter, Piezoelectricity

現在、Sc添加によりAlNの圧電特性が飛躍的に向上することで、スマートフォンに搭載されているBAWフィルタとして実用化され始めている。しかし、Sc金属は高価であることから、新規AlNやGaN系圧電薄膜材料の実験・計算探索が盛んに行われている。本研究では、第一原理計算を用いて、Yb添加AlNとGaNの圧電特性を計算し、その電気機械結合係数の増幅を理論的に解明した。特に、YbAlNの電気機械結合係数の最大増幅が18％になり、ScAlNと同程度の値になり、有望な新規圧電薄膜材料と考えれる。