[10a-S203-1~9] 6.3 Oxide electronics

△ [10a-S203-1] Capacitance - voltage characteristics of (La_1-xSr_x)VO₃ / p-Si(100) junctions

〇Keisuke Muranushi¹, Hiroki Wadati², Koji Arafune¹, Haruhiko Yoshida¹, Yasushi Hotta¹ (1.Univ. of Hyogo, Eng, 2.Univ. of Hyogo, Sci)

Keywords:transition metal oxide, silicon, strongly correlated electron system

遷移金属酸化物の多彩な物性をシリコンエレクトロニクスに取り入れる研究が注目されており、本研究グループではMott絶縁体である(La_1-xSr_x)VO₃[LSVO(x)]とSi基板の直接接合試料を作製し、界面電子状態や接合構造の電気特性を調査している。今回は、LSVO(x)/p-Si(100)接合試料界面の容量ー電圧(C-V)特性を調査した結果を報告する。