[10a-S203-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [10a-S203-1] (La_1-xSr_x)VO₃ / p-Si(100)接合の電気容量ー電圧特性

〇村主 圭佑¹、和達 大樹²、新船 幸二¹、吉田 晴彦¹、堀田 育志¹ (1.兵県大工、2.兵県大理)

キーワード：遷移金属酸化物、シリコン、強相関電子系

遷移金属酸化物の多彩な物性をシリコンエレクトロニクスに取り入れる研究が注目されており、本研究グループではMott絶縁体である(La_1-xSr_x)VO₃[LSVO(x)]とSi基板の直接接合試料を作製し、界面電子状態や接合構造の電気特性を調査している。今回は、LSVO(x)/p-Si(100)接合試料界面の容量ー電圧(C-V)特性を調査した結果を報告する。